据阐发公司CounterpointResearch的数据，本年第一季度，SK海力士以36%的市场份额成为DRAM最年夜的供给商，初次跨越三星的34%的市场份额。
只管三星电子工艺成本低20%-30%，但HBM转型滞后。2025年三星电子Q1HBM市场份额不足30%，且12层HBM3E样品交付延迟，致使DRAM产能被挤占，份额下滑至34%。
这是SK海力士初次于排名中击败竞争敌手三星，后者几十年来一直是DRAM的最年夜供给商。
人工智能拉动HBM需求，SK海力士本年的HBM产能已经经售罄SK海力士的突起与其于高带宽存储器（HBM）范畴的领先职位地方互相关注。HBM由DRAM制成，而DRAM于人工智能运用范畴的需求量很年夜。2024年HBM产物于AI范畴的营收估计占全世界DRAM市场的20%。
SK海力士于开发客户所需的HBM方面击败了三星，并拥有很多年夜型科技公司作为其客户。本年第一季度，SK海力士于HBM市场据有70%的份额。该公司正于向其重要客户Nvidia(于AI加快器中利用HBM)及其他客户提供最新版本的HBM3E。SKHynix还有开发了后续产物HBM4，并已经向客户提供样品。
SK海力士首席履行官上个月暗示，该公司本年的HBM产能已经经售罄。于与客户构和在本年上半年竣事后，估计2026年的产能也将于年内售罄。
CounterpointResearch估计SK海力士将于第二季度继承成为DRAM的最年夜供给商。
SK海力士将增长30%的举措措施支出，以应答HBM需求激增因为高带宽内存（HBM）的需求激增，SK海力士决议将本年的规划本钱支出提高30%。
动静人士称，该芯片制造商最初规划本年斥资22万亿韩元扩建其举措措施，但这一数字已经升至29万亿韩元。
该决议近来已经终极确定，SK海力士还有向供给商发出备忘录，要求其于10月份以前将装备交付至忠州的M15X工场，比最初规划提早了两个月。SK海力士规划于M15X出产其最新的DRAM。那里出产的DRAM年夜部门是1bDRAM，用作HBM3E中的焦点芯片。
这些举措均是为了向客户更快、更多的供给 HBM芯片。
此外，患上益在高带宽内存（HBM）及进步前辈封装技能，去年韩国晶圆厂装备制造商的利润整体年夜幅增加。包括韩美半导体(SKHynix的HBM出产所用TC键合机的独一供给商)的业务利润同比增加638.15%；Techwing增加631.25%、Zeus增加592.96%、JusungEngineering增加236.33%、DIT增加180.23%、AurosTechnology增加154.17%。
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